据了解，研究机构TECHCET日前发布对ALD前驱体市场的展望，该机构预计，高ƙ金属电介质和低ƙ电介质的半导体前驱体市场将在2023年下半年恢复增长。

而且分析，作为半导体薄膜沉积工艺的核心材料，ALD/CVD前驱体市场目前的放缓主要是由于存储半导体价格降低（DRAM和3D NAND），相关供应商开工率下降。

那么可能到2024年，市场将从目前的晶圆开工低迷中反弹。随着2nm和3nm逻辑器件的量产带动，45nm以下节点的逻辑类IC需求量到2027年的复合年增长率有望达到7%以上。此外，使用更多掩模层的逻辑IC增长将推动对与图案化和低k相关的金属和电介质前驱体的需求。DRAM也在向EUV工艺过渡，而全球主要制造商将3D NAND竞相扩展到200层以上，并继续移动向更高层数，预计到2030年将出现超过500层的产品，高纵横比蚀刻的需求也将继续驱动前驱体材料市场发展。

最后说下，高k/金属栅极的全面实施也推动了对铪前驱体的需求。这导致铪的持续供应链问题，该机构指出，虽然用于半导体生产的许多其他战略金属和稀土主要依赖中国，但铪却不是。该机构高级技术分析师Jonas Sundqvist介绍：“中国目前生产铪以满足自身需求，西方的需求通过法国、美国的生产以及澳大利亚在新南威尔士州Dubbo项目的采矿业务的持续扩张来满足” 。